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IXKC19N60C5中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IXKC19N60C5
廠商型號(hào)

IXKC19N60C5

功能描述

Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge

文件大小

120.38 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-11 14:40:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXKC19N60C5

  • 功能描述:

    MOSFET 19 Amps 600V 0.125 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS(艾賽斯)
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