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IXKC25N80C中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IXKC25N80C規(guī)格書詳情
N-Channel Enhancement Mode
Low RDSon, high VDSS MOSFET
Electrically Isolated Back Surface
特性 Features
? Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
- high power dissipation
- isolated mounting surface
- 2500 V electrical isolation
? 3rd generation CoolMOS? 1) power MOSFET
- high blocking capability
- lowest resistance
- avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)
? Low thermal resistance due to reduced chip thickness
? Low drain to tab capacitance (
Applications
? Switched mode power supplies (SMPS)
? Uninterruptible power supplies (UPS)
? Power factor correction (PFC)
? Welding
? Inductive heating
Advantages
? Easy assembly: no screws or isolation foils required
? Space savings
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IXKC25N80C
- 功能描述：
MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價 | ||
IXYS |
25+ |
ISOPLUS22 |
12300 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
IXYS |
22+ |
ISOPLUS220? |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
IXYS |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
8866 |
詢價 | |||
IXYS |
23+ |
ISOPLUS220 |
213 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
ISOPLUS22 |
5000 |
一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、 |
詢價 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗一站式購物 |
詢價 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價 | ||
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 |
