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IXGX82N120B3分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGX82N120B3
廠商型號

IXGX82N120B3

參數(shù)屬性

IXGX82N120B3 封裝/外殼為TO-247-3 變式;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 230A 1250W PLUS247

功能描述

GenX3 1200V IGBTs
IGBT 1200V 230A 1250W PLUS247

封裝外殼

TO-247-3 變式

文件大小

225.74 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-9-11 16:17:00

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IXGX82N120B3價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

IXGX82N120B3規(guī)格書詳情

IXGX82N120B3屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXGX82N120B3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXGX82N120B3

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,82A

  • 開關能量:

    5mJ(開),3.3mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    30ns/210ns

  • 測試條件:

    600V,80A,2 歐姆,15V

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 變式

  • 供應商器件封裝:

    PLUS247?-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 230A 1250W PLUS247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS艾賽斯
1627+
DIP8
202
代理品牌
詢價
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
詢價
IXYS
22+
PLUS247?3
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
IXYS
24+
8-PDIP
65200
一級代理/放心采購
詢價
IXYS
2022+
PLUS247?-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
IXYS
25+
TO-247-3 變式
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
詢價
原裝正品
23+
TO-252
67818
##公司主營品牌長期供應100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術
詢價
IXYS
25+
8-PDIP
4258
原裝正品 價格優(yōu)勢
詢價
IXYS
23+
TO-252
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
21368
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價