IXGY2N120分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IXGY2N120 |
參數(shù)屬性 | IXGY2N120 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 1200V 5A 25W TO252AA |
功能描述 | High Voltage IGBT |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
134.12 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產廠商 | IXYS |
中文名稱 | 艾賽斯 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-9-11 17:21:00 |
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IXGY2N120規(guī)格書詳情
IXGY2N120屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產的IXGY2N120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產品屬性
更多- 產品編號:
IXGY2N120
- 制造商:
IXYS
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
PT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
4.5V @ 15V,5A
- 開關能量:
600μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
15ns/300ns
- 測試條件:
960V,2A,150 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應商器件封裝:
TO-252AA
- 描述:
IGBT 1200V 5A 25W TO252AA
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS艾賽斯 |
1627+ |
DIP8 |
202 |
代理品牌 |
詢價 | ||
原裝正品 |
23+ |
TO-252 |
67818 |
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Littelfuse/IXYS |
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IXYS |
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TO252AA |
9000 |
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IXYS |
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IXYS |
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TO252AA |
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IXYS/Littelfuse |
23+ |
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IXYS |
25+ |
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DO-41 |
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