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IXGY2N120分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGY2N120
廠商型號

IXGY2N120

參數(shù)屬性

IXGY2N120 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 1200V 5A 25W TO252AA

功能描述

High Voltage IGBT
IGBT 1200V 5A 25W TO252AA

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

134.12 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-11 17:21:00

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IXGY2N120規(guī)格書詳情

IXGY2N120屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產的IXGY2N120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    IXGY2N120

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    4.5V @ 15V,5A

  • 開關能量:

    600μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    15ns/300ns

  • 測試條件:

    960V,2A,150 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 1200V 5A 25W TO252AA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS艾賽斯
1627+
DIP8
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代理品牌
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原裝正品
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TO-252
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