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IXGX50N60BD1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IXGX50N60BD1
廠商型號(hào)

IXGX50N60BD1

參數(shù)屬性

IXGX50N60BD1 封裝/外殼為T(mén)O-247-3 變式;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 75A 300W TO247

功能描述

HiPerFAST IGBT with Diode
IGBT 600V 75A 300W TO247

封裝外殼

TO-247-3 變式

文件大小

125.76 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-11 16:28:00

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IXGX50N60BD1規(guī)格書(shū)詳情

IXGX50N60BD1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXGX50N60BD1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

特性 Features

? International standard packages JEDEC TO-268 and PLUS247 (hole less TO-247)

? High frequency IGBT and antparallel FRED in one package

? New generation HDMOSTM process

? High current handling capability

? MOS Gate turn-on fordrive simplicity

? Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) with soft recovery and low IRM

Applications

? AC motor speed control

? DC servo and robot drives

? DC choppers

? Uninterruptible power supplies (UPS)

? Switch-mode and resonant-mode power supplies

Advantages

? Space savings (two devices on one package

? Easy to mount with 1 screw

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXGX50N60BD1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    HiPerFAST?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,50A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1.5mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    50ns/200ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,50A,2.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLUS247?-3

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 300W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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