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IXGQ90N33TCD1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IXGQ90N33TCD1 |
| 參數(shù)屬性 | IXGQ90N33TCD1 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 330V 90A 200W TO3P |
| 功能描述 | Trench Gate, High Speed, IGBTs |
| 封裝外殼 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 文件大小 |
150.19 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 中文名稱 | 艾賽斯 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-11 23:01:00 |
| 人工找貨 | IXGQ90N33TCD1價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IXGQ90N33TCD1規(guī)格書詳情
IXGQ90N33TCD1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXGQ90N33TCD1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
Trench Gate, High Speed, IGBTs
For PDP Applications
特性 Features
? Low VCE(sat)
- for minimum On-State Conduction Losses
? Fast Switching
Applications
? PDP Screen Drivers
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IXGQ90N33TCD1
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝道
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，45A
- 輸入類型：
標準
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-3P
- 描述：
IGBT 330V 90A 200W TO3P
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
NA/ |
252288 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IXYS |
20+ |
TO-3P |
38900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
TO3P |
161761 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IXYS |
2450+ |
TO3P |
6540 |
只做原廠原裝正品終端客戶免費申請樣品 |
詢價 | ||
IXYS |
1932+ |
TO-3P |
318 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IXYS |
原廠封裝 |
9800 |
原裝進口公司現(xiàn)貨假一賠百 |
詢價 | |||
IXYS |
24+ |
TO-3P |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
原裝正品 |
23+ |
TO-3P |
70804 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價 | ||
IXYS |
25+ |
TO-247 |
120 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 | ||
IXYS |
22+ |
TO3P |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 |
