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IXGQ20N120B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGQ20N120B
廠商型號(hào)

IXGQ20N120B

參數(shù)屬性

IXGQ20N120B 封裝/外殼為TO-3P-3,SC-65-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 40A 190W TO3P

功能描述

High Voltage IGBT with Diode
IGBT 1200V 40A 190W TO3P

封裝外殼

TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

598.7 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-11 23:01:00

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IXGQ20N120B規(guī)格書詳情

IXGQ20N120B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXGQ20N120B晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

特性 Features

● International standard package

● IGBT and anti-parallel FRED for

resonant power supplies

- Induction heating

- Rice cookers

● MOS Gate turn-on

- drive simplicity

● Fast Recovery Expitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low IRM

Advantages

● Saves space (two devices in one

package)

● Easy to mount with 1 screw

(isolated mounting screw hole)

● Reduces assembly time and cost

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXGQ20N120B

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.4V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    2.1mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    20ns/270ns

  • 測試條件:

    960V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 1200V 40A 190W TO3P

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS/艾賽斯
24+
NA/
156
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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IXYS
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TO-247
1944
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
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IXYS
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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IXYS
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IXYS
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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