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IXGQ85N33PCD1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IXGQ85N33PCD1 |
參數(shù)屬性 | IXGQ85N33PCD1 封裝/外殼為TO-3P-3,SC-65-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 330V 85A 150W TO3P |
功能描述 | Advance Technical Information PolarTM High Speed IGBT with Anti-Parallel Diode |
封裝外殼 | TO-3P-3,SC-65-3 |
文件大小 |
150.02 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IXYS |
中文名稱 | 艾賽斯 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-9-11 23:01:00 |
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IXGQ85N33PCD1規(guī)格書詳情
IXGQ85N33PCD1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXGQ85N33PCD1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
特性 Features
? International standard package
? Fast tfi for minimum turn off
switching losses
? MOS Gate turn-on
- drive simplicity
? Positive dVsat/dt for
paralleling
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
IXGQ85N33PCD1
- 制造商:
IXYS
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
Polar?
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,100A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-3P-3,SC-65-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-3P
- 描述:
IGBT 330V 85A 150W TO3P
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
NA/ |
75 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
24+ |
TO-3P |
8398 |
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div> |
詢價(jià) | ||
IXYS |
24+ |
TO-3P |
80000 |
只做自己庫存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
1932+ |
TO-3P |
264 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
原廠封裝 |
9800 |
原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨假一賠百 |
詢價(jià) | |||
IXYS |
24+ |
TO-3P |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
25+ |
TO-247 |
775 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
24+ |
TO-3P |
15000 |
原裝原標(biāo)原盒 給價(jià)就出 全網(wǎng)最低 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
TO-3P |
20000 |
詢價(jià) | |||
IXYS |
24+ |
TO-3P |
5000 |
十年沉淀唯有原裝 |
詢價(jià) |