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IXFH26N60Q中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IXFH26N60Q |
| 功能描述 | HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class |
| 文件大小 |
107.91 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 中文名稱 | 艾賽斯 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-14 20:21:00 |
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IXFH26N60Q規(guī)格書詳情
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg
特性 Features
● Low gate charge
● International standard packages
● Epoxy meet UL 94 V-0, flammability classification
● Low RDS (on) HDMOSTM process
● Rugged polysilicon gate cell structure
● Avalanche energy and current rated
● Fast intrinsic Rectifier
Advantages
● Easy to mount
● Space savings
● High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IXFH26N60Q
- 功能描述：
MOSFET 600V 26A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾賽斯 |
21+ |
TO247 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
04+ |
TO-247 |
8 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
22+ |
TO-251 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
NA/ |
13888 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
28000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
I |
22+ |
TO-247AD |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
TO-251 |
30 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
12800 |
##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價(jià) |
