首頁>IXFH26N55Q>規(guī)格書詳情
IXFH26N55Q中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IXFH26N55Q規(guī)格書詳情
VDSS = 550 V
ID25 = 26 A
RDS(on) = 0.23 ?
trr ≤ 250 ns
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg , High dv/dt
特性 Features
IXYS advanced low Qg process
Low gate charge and capacitances
- easier to drive
- faster switching
International standard packages
Low RDS (on)
Rated for unclamped Inductive load switching (UIS) rated
Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號:
IXFH26N55Q
- 功能描述:
MOSFET 26 Amps 550V 0.23 Rds
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
NA/ |
5425 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
21+ |
TO247 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
IXYS |
23+ |
TO-3P |
4000 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | ||
I |
22+ |
TO-247AD |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
IXYS |
24+ |
TO-3P |
4000 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-247 |
55250 |
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
IXYS |
25+ |
TO-247 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 | ||
原裝正品 |
23+ |
TO-247 |
60617 |
##公司主營品牌長期供應100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術 |
詢價 | ||
IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 |