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IXFH26N50Q中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXFH26N50Q
廠商型號(hào)

IXFH26N50Q

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs

文件大小

134.05 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-14 23:01:00

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IXFH26N50Q規(guī)格書詳情

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg ,High dv/dt

特性 Features

IXYS advanced low Qg process

International standard packages

Low RDS (on)

Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

Fast switching

Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXFH26N50Q

  • 功能描述:

    MOSFET 500V 26A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS/艾賽斯
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