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IXA4IF1200TC分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXA4IF1200TC
廠商型號

IXA4IF1200TC

參數(shù)屬性

IXA4IF1200TC 封裝/外殼為TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 9A 45W TO252AA

功能描述

XPT IGBT
IGBT 1200V 9A 45W TO252AA

封裝外殼

TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

文件大小

102.31 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-16 15:58:00

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IXA4IF1200TC規(guī)格書詳情

IXA4IF1200TC屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXA4IF1200TC晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXA4IF1200TC-TUB

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,3A

  • 開關(guān)能量:

    400μJ(開),300μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測試條件:

    600V,3A,330 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-268AA

  • 描述:

    IGBT 1200V 9A 45W TO252AA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS
22+
TO268AA
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
IXYS
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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07+PB
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2900
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IXYS
24+
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3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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20+
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IXYS
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IXYS艾賽斯
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