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IXA45IF1200HB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXA45IF1200HB
廠商型號(hào)

IXA45IF1200HB

參數(shù)屬性

IXA45IF1200HB 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 78A 325W TO247

功能描述

XPT IGBT
IGBT 1200V 78A 325W TO247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

131.75 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-16 20:22:00

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IXA45IF1200HB規(guī)格書詳情

IXA45IF1200HB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXA45IF1200HB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXA45IF1200HB

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,35A

  • 開關(guān)能量:

    3.8mJ(開),4.1mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測(cè)試條件:

    600V,35A,27 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 78A 325W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
18+
TO-247
56
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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IXYS/艾賽斯
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IXYS
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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IXYS/艾賽斯
24+
TO-247
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全新原裝現(xiàn)貨
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IXYS/Littelfuse
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TO-247
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