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IRLU2905PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRLU2905PBF
廠商型號

IRLU2905PBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

310.73 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-18 11:50:00

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IRLU2905PBF規(guī)格書詳情

VDSS= 55V

RDS(on)= 0.027?

ID= 42A

描述 Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

Logic-Level Gate Drive

Ultra Low On-Resistance

Surface Mount (IRLR2905)

Straight Lead (IRLU2905)

Advanced Process Technology

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRLU2905PBF

  • 制造商:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.027Ohm;ID 42A;I-Pak(TO-251AA);PD 110W

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 55V 42A 3-Pin(3+Tab) IPAK

  • 功能描述:

    TRANS MOSFET N-CH 55V 42A 3PIN IPAK - Rail/Tube

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 55V 42A 3-Pin(3+Tab) IPAK Bulk

  • 功能描述:

    MOSFET N 55V 36A I-PAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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