IRLU2705中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRLU2705規(guī)格書詳情
描述 Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
? Logic-Level Gate Drive
? Ultra Low On-Resistance
? Surface Mount (IRLR2705)
? Straight Lead (IRLU2705)
? Advanced Process Technology
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRLU2705
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI/微碧半導(dǎo)體 |
24+ |
TO251 |
60000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
19+ |
TO-251 |
500 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價 | ||
IR |
2016+ |
TO-251 |
6528 |
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
3420 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-251 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
I-Pak |
89630 |
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-251 |
30000 |
代理全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
IR |
25+ |
TO-251 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-251 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 |
