IRLU2703中文資料IRF數據手冊PDF規(guī)格書
IRLU2703規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
Logic-Level Gate Drive
Ultra Low On-Resistance
Surface Mount (IRLR2703)
Straight Lead (IRLU2703)
Advanced Process Technology
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
產品屬性
- 型號:
IRLU2703
- 功能描述:
MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導體產品 >> FET - 單
- 系列:
HEXFET®
- 標準包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
TO-251 |
10 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務 |
詢價 | ||
IR |
2016+ |
TO-251 |
6528 |
房間原裝進口現貨假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
3372 |
原裝現貨,當天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-251 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
I-Pak |
89630 |
當天發(fā)貨全新原裝現貨 |
詢價 | ||
IR |
25+ |
TO251 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-251 |
50000 |
全新原裝正品現貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
8000 |
只做原裝現貨 |
詢價 | ||
INF |
2447 |
SMD |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現貨,長期排單到貨 |
詢價 |