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IRLR2905PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRLR2905PBF |
| 功能描述 | HEXFET Power MOSFET |
| 文件大小 |
310.73 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-2 23:01:00 |
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IRLR2905PBF規(guī)格書詳情
VDSS= 55V
RDS(on)= 0.027?
ID= 42A
描述 Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
Logic-Level Gate Drive
Ultra Low On-Resistance
Surface Mount (IRLR2905)
Straight Lead (IRLU2905)
Advanced Process Technology
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRLR2905PBF
- 功能描述：
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
24250 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己庫(kù)存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
DPAK |
36900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
16+ |
TO-252 |
5 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
原廠封裝 |
1638 |
只做原裝正品,不止網(wǎng)上數(shù)量,歡迎電話微信查詢! |
詢價(jià) | ||
IR |
2430+ |
TO252 |
8540 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
IR |
2021+ |
TO-252 |
3500 |
十年專營(yíng)原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
501044 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
D-pak |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
TO-252 |
7793 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。 |
詢價(jià) |
