IRLR2705中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRLR2705規(guī)格書詳情
描述 Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
? Logic-Level Gate Drive
? Ultra Low On-Resistance
? Surface Mount (IRLR2705)
? Straight Lead (IRLU2705)
? Advanced Process Technology
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRLR2705
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2511 |
TO252-3 |
360000 |
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價 |
詢價 | ||
IR |
05+ |
原廠原裝 |
9051 |
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
DPAK |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
IR |
20+ |
TO-252 |
38900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
30000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
DPAK |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
DPAK |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO252 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己庫存 全新原裝進口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價 |
