IRLI640G中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
產(chǎn)品屬性
- 型號:
IRLI640G
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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IR |
1822+ |
TO-220F |
9852 |
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詢價 | ||
INFINEON/IR |
2023+ |
TO-220 |
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IR |
24+ |
TO-220F |
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ir |
24+ |
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IR |
24+ |
TO 220F |
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IR |
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TO-220F |
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IR |
21+ |
TO220F |
10000 |
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詢價 | ||
原廠 |
13+ |
IC |
1 |
普通 |
詢價 | ||
IR/VISHAY |
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TO-TO-220 |
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IR |
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