IRLI640G中文資料IRF數據手冊PDF規(guī)格書
IRLI640G規(guī)格書詳情
描述 Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
● Isolated Package
● High Voltage Isolation = 2.5KVRMS
● Sink to Lead Creepage Dist. 4.8mm
● Logic-Level Gate Drive
● RDS(ON) Specified at VGS = 4V & 5V
● Fast Switching
● Ease of paralleling
產品屬性
- 型號：
IRLI640G
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220F |
27500 |
原裝正品,價格最低! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
47186 |
鄭重承諾只做原裝進口現貨 |
詢價 | ||
IR |
9730+ |
TO-220 |
310 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
Vishay |
NEW- |
MOSFETs |
100000 |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
詢價 | ||
IR |
1822+ |
TO-220F |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
13813 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
VISHAY |
20+ |
na |
65790 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
8000 |
只做原裝現貨 |
詢價 | ||
IR |
2447 |
TO-220F |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220F-3 |
50000 |
全新原裝正品現貨,支持訂貨 |
詢價 |
