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IRGSL6B60KDPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGSL6B60KDPBF
廠商型號(hào)

IRGSL6B60KDPBF

參數(shù)屬性

IRGSL6B60KDPBF 封裝/外殼為TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT NPT 600V 13A TO262

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封裝外殼

TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

文件大小

316.13 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-12 17:36:00

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IRGSL6B60KDPBF規(guī)格書詳情

特性 Features

? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

? Low Diode VF.

? 10μs Short Circuit Capability.

? Square RBSOA.

? Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

? Lead-Free

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control.

? Rugged Transient Performance.

? Low EMI.

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGSL6B60KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,5A

  • 開關(guān)能量:

    110μJ(開),135μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    25ns/215ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,5A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-262

  • 描述:

    IGBT NPT 600V 13A TO262

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
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NA
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只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718
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