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IRGSL10B60KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGSL10B60KD
廠商型號

IRGSL10B60KD

參數(shù)屬性

IRGSL10B60KD 封裝/外殼為TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT NPT 600V 22A TO262

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封裝外殼

TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

文件大小

324.07 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-12 12:01:00

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IRGSL10B60KD規(guī)格書詳情

特性 Features

? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

? Low Diode VF.

? 10μs Short Circuit Capability.

? Square RBSOA.

? Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control.

? Rugged Transient Performance.

? Low EMI.

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRGSL10B60KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,10A

  • 開關(guān)能量:

    140μJ(開),250μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    30ns/230ns

  • 測試條件:

    400V,10A,47 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-262

  • 描述:

    IGBT NPT 600V 22A TO262

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
詢價
IR
2016+
TO-262
6528
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十
詢價
24+
N/A
76000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
詢價
IR
2015+
TO-262
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)
詢價
IR
23+
TO-262
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價
IR
23+
TO-262
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
IR
TO-262
68500
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
詢價
IR
23+24
TO-262
59630
主營原裝MOS,二三級管,肖特基,功率場效應(yīng)管
詢價
IR
24+
TO-262
5100
詢價
IR
05+
原廠原裝
30501
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)
詢價