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IRGSL4B60KD1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRGSL4B60KD1 |
| 參數(shù)屬性 | IRGSL4B60KD1 封裝/外殼為TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT NPT 600V 11A TO262 |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封裝外殼 | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA |
| 文件大小 |
434.6 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-12 9:07:00 |
| 人工找貨 | IRGSL4B60KD1價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IRGSL4B60KD1規(guī)格書詳情
特性 Features
? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
? 10μs Short Circuit Capability.
? Square RBSOA.
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
? Maximum Junction Temperature rated at 175°C.
? Lead-Free
Benefits
? Benchmark Efficiency for Motor Control.
? Rugged Transient Performance.
? Low EMI.
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRGSL4B60KD1PBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，4A
- 開關(guān)能量：
73μJ（開），47μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
22ns/100ns
- 測試條件：
400V，4A，100 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-262
- 描述：
IGBT NPT 600V 11A TO262
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
65000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
IR |
2015+ |
TO-262 |
12500 |
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng) |
詢價 | ||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
7000 |
詢價 | |||
Infineon |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
IR |
25+ |
262 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價 | ||
IR |
2016+ |
TO-262 |
6528 |
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
05+ |
TO262 |
343 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價 |
