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IRGP20B120U-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IRGP20B120U-E |
參數(shù)屬性 | IRGP20B120U-E 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT NPT 1200V 40A TO247AD |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
106.34 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IRF |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-9-8 8:02:00 |
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IRGP20B120U-E規(guī)格書詳情
特性 Features
? UltraFast Non Punch Through (NPT) Technology
? 10 μs Short Circuit capability
? Square RBSOA
? Positive VCE(on) Temperature Coefficient
? Extended lead TO-247 package
Benefits
? Benchmark efficiency above 20KHz
? Optimized for Welding, UPS, and Induction Heating applications
? Rugged with UltraFast performance
? Low EMI
? Significantly Less Snubber required
? Excellent Current sharing in Parallel operation
? Longer leads for easier mounting
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRGP20B120U-EP
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
4.85V @ 15V,40A
- 開關(guān)能量:
850μJ(開),425μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 測試條件:
600V,20A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247AD
- 描述:
IGBT NPT 1200V 40A TO247AD
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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IR |
23+ |
TO-247 |
8560 |
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詢價 | ||
IR |
24+ |
原廠封裝 |
2000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
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Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
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22+ |
TO-247 |
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TO-247-3 |
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IR |
22+ |
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