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IRGIB7B60KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IRGIB7B60KD |
| 參數(shù)屬性 | IRGIB7B60KD 封裝/外殼為TO-220-3 整包；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 12A 39W TO220FP |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封裝外殼 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
435.57 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-7 23:01:00 |
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IRGIB7B60KD規(guī)格書詳情
特性 Features
? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
? 10μs Short Circuit Capability.
? Square RBSOA.
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
? Maximum Junction Temperature rated at 175°C.
Benefits
? Benchmark Efficiency for Motor Control.
? Rugged Transient Performance.
? Low EMI.
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IRGIB7B60KDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，8A
- 開關(guān)能量：
160μJ（開），160μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
23ns/140ns
- 測試條件：
400V，8A，50 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB 整包
- 描述：
IGBT 600V 12A 39W TO220FP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
13888 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
2023+ |
TO-220F |
2079 |
原廠全新正品旗艦店優(yōu)勢現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-220FullPak |
8866 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO-220F |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
Infineon |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
7000 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
24+ |
con |
10 |
現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
IR |
06+ |
TO-220F |
2079 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
17+ |
TO-220 |
2000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) |
