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IRGIB6B60KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IRGIB6B60KD |
參數(shù)屬性 | IRGIB6B60KD 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 11A 38W TO220FP |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
封裝外殼 | TO-220-3 整包 |
文件大小 |
282.83 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IRF |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-9-8 20:00:00 |
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IRGIB6B60KD規(guī)格書詳情
特性 Features
? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
? Low Diode VF.
? 10μs Short Circuit Capability.
? Square RBSOA.
? Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
Benefits
? Benchmark Efficiency for Motor Control.
? Rugged Transient Performance.
? Low EMI.
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRGIB6B60KDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,5A
- 開關(guān)能量:
110μJ(開),135μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
25ns/215ns
- 測試條件:
400V,5A,100 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220AB 整包
- 描述:
IGBT 600V 11A 38W TO220FP
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | |||
IR |
24+ |
NA/ |
4704 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO220 |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
17+ |
TO-220 |
2000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
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TO220 |
1625 |
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NEC |
23+ |
TO-252 |
69820 |
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TO-TO-220F |
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IR |
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TO-220 |
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INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-220F |
8500 |
原廠原包原裝公司現(xiàn)貨,假一賠十,低價出售 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-220FullPak |
8866 |
詢價 |