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IRG7PH35UD-EP分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRG7PH35UD-EP |
| 參數(shù)屬性 | IRG7PH35UD-EP 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 50A COPAK247 |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
466.59 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-11 10:03:00 |
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特性 Features
? Low VCE (ON) trench IGBT technology
? Low switching losses
? Square RBSOA
? 100 of the parts tested for ILM ①
? Positive VCE (ON) temperature co-efficient
? Ultra fast soft recovery co-pak diode
? Tight parameter distribution
? Lead-Free
Benefits
? High efficiency in a wide range of applications
? Suitable for a wide range of switching frequencies due to
low VCE (ON) and low switching losses
? Rugged transient performance for increased reliability
? Excellent current sharing in parallel operation
Applications
? U.P.S.
? Welding
? Solar Inverter
? Induction Heating
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRG7PH35UD-EP
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
散裝
- IGBT 類型：
溝道
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，20A
- 開關(guān)能量：
1.06mJ（開），620μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
30ns/160ns
- 測試條件：
600V，20A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 50A COPAK247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-247 |
65200 |
一級代理/放心采購 |
詢價(jià) | ||
IR |
1923+ |
TO-247 |
8900 |
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詢價(jià) | ||
INFINEON |
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TO-247-3 |
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詢價(jià) | ||
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TO-247-3 |
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原裝正品,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
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TO-247-3 |
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Infineon/英飛凌 |
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INFINEON/英飛凌 |
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TO-247-3 |
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INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
TO-247 |
9000 |
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) |
