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IRG7PH30K10PBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG7PH30K10PBF
廠商型號

IRG7PH30K10PBF

參數(shù)屬性

IRG7PH30K10PBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 33A 210W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

326.49 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-11 16:10:00

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IRG7PH30K10PBF規(guī)格書詳情

特性 Features

? Low VCE (ON) Trench IGBT Technology

? Low Switching Losses

? Maximum Junction Temperature 175 °C

? 10 μS short Circuit SOA

? Square RBSOA

? 100 of the parts tested for ILM

? Positive VCE (ON) Temperature Co-Efficient

? Tight Parameter Distribution

? Lead Free Package

Benefits

? High Efficiency in a Wide Range of Applications

? Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due to

Low VCE (ON) and Low Switching Losses

? Rugged Transient Performance for Increased Reliability

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG7PH30K10PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.35V @ 15V,9A

  • 開關(guān)能量:

    530μJ(開),380μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    14ns/110ns

  • 測試條件:

    600V,9A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 33A 210W TO247AC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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