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IRG7PH35UD1-EP分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG7PH35UD1-EP
廠商型號

IRG7PH35UD1-EP

參數(shù)屬性

IRG7PH35UD1-EP 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 50A 179W TO247

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

406.99 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 23:01:00

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IRG7PH35UD1-EP規(guī)格書詳情

特性 Features

? Low VCE (ON) trench IGBT Technology

? Low Switching Losses

? Square RBSOA

? Ultra-Low VFDiode

? 1300Vpk Repetitive Transient Capacity

? 100 of the Parts Tested for ILM

? Positive VCE (ON) Temperature Co-Efficient

? Tight Parameter Distribution

? Lead Free Package

Benefits

? Device optimized for induction heating and soft switching

applications

? High Efficiency due to Low VCE(on), low switching losses

and Ultra-low VF

? Rugged transient performance for increased reliability

? Excellent current sharing in parallel operation

? Low EMI

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG7PH35UD1-EP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    620μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    -/160ns

  • 測試條件:

    600V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 50A 179W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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