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IRG4PC40KD分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRG4PC40KD |
| 參數(shù)屬性 | IRG4PC40KD 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 42A 160W TO247AC |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A) |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
182.17 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-12 23:01:00 |
| 人工找貨 | IRG4PC40KD價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IRG4PC40KD規(guī)格書詳情
Short Circuit Rated UltraFast IGBT
特性 Features
? Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10μs @ 125°C, VGE = 15V
? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
? Industry standard TO-247AC package
Benefits
? Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available
? HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
? Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRG4PC40KDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，25A
- 開關能量：
950μJ（開），760μJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
53ns/110ns
- 測試條件：
480V，25A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應商器件封裝：
TO-247AC
- 描述：
IGBT 600V 42A 160W TO247AC
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
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詢價 | ||
IR |
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IR |
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