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IRG4PC30WPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4PC30WPBF
廠商型號

IRG4PC30WPBF

參數(shù)屬性

IRG4PC30WPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 23A TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

254.39 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-12 23:01:00

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IRG4PC30WPBF規(guī)格書詳情

特性 Features

? Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications

? Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies

? 50 reduction of Eoff parameter

? Low IGBT conduction losses

? Latest-generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution, exceptional reliability

? Lead-Free

Benefits

? Lower switching losses allow more cost-effective operation than power MOSFETs up to 150 kHz (hard switched mode)

? Of particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher

? Low conduction losses and minimal minority-carrier recombination make these an excellent option for resonant mode switching as well (up to >>300 kHz)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4PC30WPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,12A

  • 開關(guān)能量:

    130μJ(開),130μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    25ns/99ns

  • 測試條件:

    480V,12A,23 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 600V 23A TO247AC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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