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IRG4PC40分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4PC40
廠商型號

IRG4PC40
參數(shù)屬性

IRG4PC40 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 49A 160W TO247AC
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

116.25 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商

IRF
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-12 22:58:00
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IRG4PC40規(guī)格書詳情

Benefits

? Lower switching losses allow more cost-effective

operation than power MOSFETs up to 150 kHz

(hard switched mode)

? Of particular benefit to single-ended converters and

boost PFC topologies 150W and higher

? Low conduction losses and minimal minority-carrier

recombination make these an excellent option for

resonant mode switching as well (up to >>300 kHz)

特性 Features

? Designed expressly for Switch-Mode Power

Supply and PFC (power factor correction)

applications

? Industry-benchmark switching losses improve

efficiency of all power supply topologies

? 50 reduction of Eoff parameter

? Low IGBT conduction losses

? Latest-generation IGBT design and construction offers

tighter parameters distribution, exceptional reliability

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4PC40FD

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.7V @ 15V，27A

  • 開關(guān)能量：

    950μJ（開），2.01mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    63ns/230ns

  • 測試條件：

    480V，27A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 600V 49A 160W TO247AC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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