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IRG4PC30KD分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IRG4PC30KD |
參數(shù)屬性 | IRG4PC30KD 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 28A 100W TO247AC |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
178.84 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IRF |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-12 23:01:00 |
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IRG4PC30KD規(guī)格書詳情
Short Circuit Rated UltraFast IGBT
特性 Features
? High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10μs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V
? Combines low conduction losses with high switching speed
? Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes
Benefits
? Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible
? HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.
Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses
? This part replaces the IRGBC30KD2 and IRGBC30MD2 products
? For hints see design tip 97003
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRG4PC30KD
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,16A
- 開關能量:
600μJ(開),580μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
60ns/160ns
- 測試條件:
480V,16A,23 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應商器件封裝:
TO-247AC
- 描述:
IGBT 600V 28A 100W TO247AC
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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IR |
24+ |
NA/ |
3408 |
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-247 |
80000 |
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05+ |
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IR |
23+ |
TO-247 |
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IR |
24+ |
TO-247-3 |
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Infineon |
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IGBT |
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