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IRG4P254SPBF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4P254SPBF
廠商型號

IRG4P254SPBF

參數(shù)屬性

IRG4P254SPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 250V 98A 200W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

329.57 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-13 12:09:00

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IRG4P254SPBF規(guī)格書詳情

特性 Features

? Standard: Optimized for minimum saturation

voltage and operating frequencies up to 10kHz

? Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

Generation 3

? Industry standard TO-247AC package

? Lead-Free

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

? IGBTs optimized for specified application conditions

? High Power density

? Lower conduction losses than similarly rated MOSFET

? Lower Gate Charge than equivalent MOSFET

? Simple Gate Drive characteristics compared to Thyristors

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4P254SPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.5V @ 15V,55A

  • 開關(guān)能量:

    380μJ(開),3.5mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    40ns/270ns

  • 測試條件:

    200V,55A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 250V 98A 200W TO247AC

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
22+
TO-3P
12000
只做原裝、原廠優(yōu)勢渠道、假一賠十
詢價
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務
詢價
IR
23+
TO-247
12500
全新原裝現(xiàn)貨熱賣,價格優(yōu)勢
詢價
Infineon Technologies
23+
原裝
8000
只做原裝現(xiàn)貨
詢價
IR
23+
TO-247AC
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
IR
24+
TO-247-3
69
詢價
Infineon Technologies
22+
TO247AC
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
INFINEON/英飛凌
23+
TO-247
89630
當天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
詢價
IOR
21+
TO-247AC
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價
Infineon
22+
NA
2118
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