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IRG4IBC30F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRG4IBC30F
廠商型號(hào)

IRG4IBC30F

參數(shù)屬性

IRG4IBC30F 封裝/外殼為T(mén)O-220-3 整包;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

223.94 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-13 20:00:00

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IRG4IBC30F規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? Very Low 1.59V votage drop

? 2.5kV, 60s insulation voltage

? 4.8 mm creapage distance to heatsink

? Fast: Optimized for medium operating

frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20

kHz in resonant mode).

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultrasoft recovery antiparallel diodes

? Tighter parameter distribution

? Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM

outline

Benefits

? Simplified assembly

? Highest efficiency and power density

? HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes

switching losses and EMI

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4IBC30FDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,17A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    630μJ(開(kāi)),1.39mJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    42ns/230ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,17A,23 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB 整包

  • 描述:

    IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
24+
NA/
5236
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
詢(xún)價(jià)
ir
24+
500000
行業(yè)低價(jià),代理渠道
詢(xún)價(jià)
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0924+
TO-220F
55
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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