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IRG4IBC10UDPBF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4IBC10UDPBF
廠商型號

IRG4IBC10UDPBF

參數(shù)屬性

IRG4IBC10UDPBF 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast Co-Pack IGBT

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

659.63 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-13 23:01:00

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IRG4IBC10UDPBF規(guī)格書詳情

特性 Features

● UltraFast: Optimized for high operating up to

80 kHz in hard switching, >200 kHz in

resonant mode

● Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

previous generation

● IGBT co-packaged with HEXFRED? ultrafast,

ultra-soft recovery anti-parallel diodes for use in bridge

configurations

● Industry standard TO-220 Full-Pak

● Lead-Free

Benefits

● Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

● IGBTs optimized for specifica application conditions

● HEXFRED? diodes optimized for performace with IGBTs

Minimized recovery characteristics require less/no

snubbing

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4IBC10UDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,5A

  • 開關(guān)能量:

    140μJ(開),120μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    40ns/87ns

  • 測試條件:

    480V,5A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB 整包

  • 描述:

    IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon(英飛凌)
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