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IRG4BC30W

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesign

IRF

International Rectifier

IRG4BC30W

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50%reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesign

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30W

600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT，采用 TO-220AB 封裝;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30W

Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 23A 100W TO220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30WS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A)

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTde

IRF

International Rectifier

IRG4BC30W-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A)

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTde

IRF

International Rectifier

IRG4BC30W-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePower SupplyandPFC(powerfactorcorrection) applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimprove efficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBT

IRF

International Rectifier

IRG4BC30W_04

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)

IRF

International Rectifier

IRG4BC30WPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)

IRF

International Rectifier

IRG4BC30WPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4BC30W

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，12A

  • 開關(guān)能量：

    130μJ（開），130μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    25ns/99ns

  • 測試條件：

    480V，12A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 23A 100W TO220AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
23+
TO-220
9896
詢價(jià)
IR
24+
原廠封裝
515
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
IR
24+
TO20
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
IR
新
172
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
IR
1950+
TO263
9852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價(jià)
IR
23+
TO-220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
INFINEON
1503+
TO-220
3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
 詢價(jià)
Infineon
22+
NA
2118
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IR
23+
TO-220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
更多IRG4BC30W供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 17:30:00

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