IRG4BC30W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRG4BC30W |
| 參數(shù)屬性 | IRG4BC30W 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 23A 100W TO220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A) |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
139.38 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找貨 | IRG4BC30W價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IRG4BC30W規(guī)格書詳情
特性 Features
?Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications
?Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies
?50 reduction of Eoff parameter
?Low IGBT conduction losses
?Latest-generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution, exceptional reliability
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRG4BC30W
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，12A
- 開關(guān)能量：
130μJ（開），130μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
25ns/99ns
- 測試條件：
480V，12A，23 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 23A 100W TO220AB
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
20350 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO20 |
80000 |
只做自己庫存 全新原裝進口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價 | ||
IR/VISHAY |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
IR |
24+/25+ |
2400 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | |||
IR |
11+ |
TO-220 |
10000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
08+ |
TO-263 |
541 |
詢價 | |||
IR |
1950+ |
TO263 |
9852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價 | ||
IR |
23+ |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | |||
IR |
TO-220 |
68500 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
IR |
25+23+ |
TO-263 |
41807 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 |
