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IRG4BC30WS分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BC30WS
廠商型號(hào)

IRG4BC30WS

參數(shù)屬性

IRG4BC30WS 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT D2PAK

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A)

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

188.51 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-6 9:48:00

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IRG4BC30WS規(guī)格書詳情

特性 Features

? Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications

? Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies

? 50 reduction of Eoff parameter

? Low IGBT conduction losses

? Latest-generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution, exceptional reliability

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4BC30WSTRR

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,12A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT D2PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
23+
TO-263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價(jià)
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23+
TO-263
30000
代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)
IR
24+
TO-263
4500
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718
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Infineon Technologies
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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08+
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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TO-263-3 D?Pak(2 引線 + 接片
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