IRG4BC30S分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRG4BC30S |
| 參數(shù)屬性 | IRG4BC30S 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 34A 100W TO220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A) |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
161.89 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-10 9:30:00 |
| 人工找貨 | IRG4BC30S價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IRG4BC30S規(guī)格書詳情
特性 Features
? Standard: optimized for minimum saturation
voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)
? Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
? Industry standard TO-220AB package
Benefits
? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
? IGBTs optimized for specified application conditions
? Designed to be a drop-in replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBTs
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRG4BC30S
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.6V @ 15V，18A
- 開關能量：
260μJ（開），3.45mJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
22ns/540ns
- 測試條件：
480V，18A，23 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應商器件封裝：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 34A 100W TO220AB
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
220 |
38070 |
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
IR |
TO-220 |
68500 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
IR |
05+ |
TO-263 |
488 |
詢價 | |||
IR |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己庫存 全新原裝進口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價 | ||
INTERNATIONA |
05+ |
原廠原裝 |
4266 |
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應 |
詢價 | ||
IR |
23+24 |
TO-220 |
59630 |
主營原裝MOS,二三級管,肖特基,功率場效應管 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-220AB |
27500 |
原裝正品,價格最低! |
詢價 | ||
IR |
25+ |
TO-263 |
4500 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
IR |
20+ |
TO-263 |
15800 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
65230 |
詢價 |
