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IRG4BC30K-S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRG4BC30K-S
廠商型號(hào)

IRG4BC30K-S

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

文件大小

161.85 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-9 23:01:00

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IRG4BC30K-S規(guī)格書詳情

特性 Features

? High short circuit rating optimized for motor control,

tsc =10μs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,

VGE = 15V

? Combines low conduction losses with high

switching speed

? Latest generation design provides tighter parameter

distribution and higher efficiency than previous

generations

Benefits

? As a Freewheeling Diode we recommend our

HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for

minimum EMI / Noise and switching losses in the

Diode and IGBT

? Latest generation 4 IGBTs offer highest power

density motor controls possible

? This part replaces the IRGBC30K-S and

IRGBC30M-S devices

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRG4BC30K-S

  • 功能描述:

    IGBT UFAST 600V 28A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    30

  • 系列:

    GenX3™ IGBT

  • 類型:

    PT 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿(最大):

    1200V Vge,

  • Ic時(shí)的最大Vce(開):

    3V @ 15V,100A 電流 -

  • 集電極(Ic)(最大):

    200A 功率 -

  • 最大:

    830W

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PLUS247?-3

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
24+
NA/
2292
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價(jià)
IR
23+
TO-263
20000
全新原裝假一賠十
詢價(jià)
IR
24+
TO-263
80000
只做自己庫(kù)存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增
詢價(jià)
IR
25+
TO-263
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
IR
08+
TO-263
1995
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
IR
08+
TO-263
3000
詢價(jià)
IR
21+
TO-263
30000
百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開13點(diǎn)增值稅
詢價(jià)
IR
23+
TO-263
35890
詢價(jià)
IR
24+
TO263
9300
詢價(jià)
IR
2016+
TO-263
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
詢價(jià)