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IRG4BC30K-S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
IRG4BC30K-S |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) |
文件大小 |
161.85 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | IRF |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-9 23:01:00 |
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IRG4BC30K-S規(guī)格書詳情
特性 Features
? High short circuit rating optimized for motor control,
tsc =10μs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,
VGE = 15V
? Combines low conduction losses with high
switching speed
? Latest generation design provides tighter parameter
distribution and higher efficiency than previous
generations
Benefits
? As a Freewheeling Diode we recommend our
HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for
minimum EMI / Noise and switching losses in the
Diode and IGBT
? Latest generation 4 IGBTs offer highest power
density motor controls possible
? This part replaces the IRGBC30K-S and
IRGBC30M-S devices
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRG4BC30K-S
- 功能描述:
IGBT UFAST 600V 28A D2PAK
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
- 系列:
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
30
- 系列:
GenX3™ IGBT
- 類型:
PT 電壓 -
- 集電極發(fā)射極擊穿(最大):
1200V Vge,
- Ic時(shí)的最大Vce(開):
3V @ 15V,100A 電流 -
- 集電極(Ic)(最大):
200A 功率 -
- 最大:
830W
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
PLUS247?-3
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
2292 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己庫(kù)存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價(jià) | ||
IR |
25+ |
TO-263 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
08+ |
TO-263 |
1995 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
08+ |
TO-263 |
3000 |
詢價(jià) | |||
IR |
21+ |
TO-263 |
30000 |
百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開13點(diǎn)增值稅 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
35890 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO263 |
9300 |
詢價(jià) | |||
IR |
2016+ |
TO-263 |
6528 |
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) |