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IRG4BC30KD-SPBF

INSUKATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KD-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFRRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KD-STRR

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KS

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

IRF

International Rectifier

IRG4BC30K-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

IRF

International Rectifier

IRG4BC30K-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

IRF

International Rectifier

IRG4BC30K-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCiruitRatedUltraFastIGBT

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCiruitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C VGE=15V ?Conbineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidest

IRF

International Rectifier

IRG4BC30S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A)

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRG4BC30FD-STRR

  • 功能描述：

    DIODE IGBT 600V 31A COPAK D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    30

  • 系列：

    GenX3™ IGBT

  • 類型：

    PT 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    1200V Vge,

  • Ic時的最大Vce（開）：

    3V @ 15V，100A 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    200A 功率 -

  • 最大：

    830W

  • 輸入類型：

    標準

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商設備封裝：

    PLUS247?-3

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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22+
D2PAK
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更多IRG4BC30FD-STRR供應商 更新時間2025-7-28 14:01:00

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