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IRG4BC20W	文件：130.259 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.16V,@Vge=15V,Ic=6.5A) Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTde	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20WPBF	文件：209.42 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesignandc	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4BC20W-S	文件：152.24 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.16V,@Vge=15V,Ic=6.5A) Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTde	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4BC20W-SPBF	文件：212.93 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesignandc	IRF International Rectifier	IRF

技術參數(shù)

Technology?：
IGBT Gen 4
Switching Frequency?min?max：
1.0kHz?1.0kHz
Package?：
D2PAK (TO-263)
Voltage Class?max：
600.0V
IC(@100°)?max：
10.0A
IC(@25°)?max：
19.0A
ICpuls?max：
38.0A
Ptot?max：
60.0W
VCE(sat)?：
1.4V?
Eon?：
0.32mJ?
Eoff(Hard Switching)?：
2.58mJ?
td(on)?：
62.0ns?
tr?：
32.0ns?
td(off)?：
690.0ns?
tf?：
480.0ns?
QGate?：
27.0nC?
IF?max：
38.0A
VF?：
1.4V?
Qrr?：
65.0nC?
Irrm?：
3.5A?
Ets??(max)：
2.9mJ?(4.5mJ)
Moisture Sensitivity Level?：
1
VCE?max：
600.0V

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