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IRG4BC20K-S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BC20K-S
廠商型號

IRG4BC20K-S

參數(shù)屬性

IRG4BC20K-S 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 16A 60W D2PAK

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

162.34 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-6 18:28:00

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IRG4BC20K-S規(guī)格書詳情

特性 Features

? High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10μs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V

? Combines low conduction losses with high switching speed

? Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

Benefits

? As a Freewheeling Diode we recommend our HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for minimum EMI / Noise and switching losses in the Diode and IGBT

? Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

? This part replaces the IRGBC20K-S and IRGBC20M-S devices

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4BC20K-S

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,9A

  • 開關(guān)能量:

    150μJ(開),250μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    28ns/150ns

  • 測試條件:

    480V,9A,50 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 600V 16A 60W D2PAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
08+
TO-263
1543
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
IR
08+
TO-263
1543
詢價
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2016+
TO-263
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
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23+
TO-263
12500
原廠原裝正品
詢價
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2023+
D2-PAK
50000
原裝現(xiàn)貨
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21+
TO-263
30000
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅
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TO263
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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23+
TO-263
35890
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17+
TO-263
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
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TO-263
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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