IRG4BC20F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRG4BC20F |
| 參數(shù)屬性 | IRG4BC20F 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 16A 60W TO220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
161.56 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 | IRF |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-6 10:36:00 |
| 人工找貨 | IRG4BC20F價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRG4BC20F規(guī)格書詳情
特性 Features
? Fast: Optimized for medium operating
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20
kHz in resonant mode).
? Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
? Industry standard TO-220AB package
Benefits
? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
? IGBTs optimized for specified application conditions
? Designed to be a drop-in replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBTs
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRG4BC20F
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，9A
- 開關(guān)能量：
70μJ（開），600μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
24ns/190ns
- 測試條件：
480V，9A，50 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-220 |
8560 |
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詢價 | ||
IR |
1950+ |
TO-220 |
9852 |
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詢價 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
IR |
25+ |
TO-2 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
05+ |
原廠原裝 |
1851 |
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Infineon |
1931+ |
N/A |
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IR |
23+24 |
TO-220 |
59630 |
主營原裝MOS,二三級管,肖特基,功率場效應(yīng)管 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
SOT263 |
8000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
IR |
1106+ |
TO220 |
6900 |
普通 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 |
