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IRG4BC20FD-SPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IRG4BC20FD-SPBF |
參數(shù)屬性 | IRG4BC20FD-SPBF 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 16A 60W D2PAK |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT |
封裝外殼 | TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB |
文件大小 |
298.44 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IRF |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-10 12:01:00 |
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IRG4BC20FD-SPBF規(guī)格書詳情
特性 Features
? Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).
? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
? Industry standard D2Pak package
? Lead-Free
Benefits
? Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available
? IGBTs optimized for specific application conditions
? HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
? Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRG4BC20FD-SPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,9A
- 開關(guān)能量:
250μJ(開),640μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
43ns/240ns
- 測試條件:
480V,9A,50 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝:
D2PAK
- 描述:
IGBT 600V 16A 60W D2PAK
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
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TO-263 |
50000 |
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22+ |
D2PAK |
6000 |
終端可免費供樣,支持BOM配單 |
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TO-263 |
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Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
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