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IRG4BC20FD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT

Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa

IRF

International Rectifier

IRG4BC20FD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC20FD-SPBF

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 16A 60W D2PAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC20FD-STRL

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa

IRF

International Rectifier

IRG4BC20FPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage ?Lead-Free Benef

IRF

International Rectifier

IRG4BC20FPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BC20K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneratio

IRF

International Rectifier

IRG4BC20KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShort CircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhi

IRF

International Rectifier

IRG4BC20KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAGASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC20KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedfor highoperatingfrequencies>5.0kHz,andShort CircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXF

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International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4BC20FD-SPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，9A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    250μJ（開(kāi)），640μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    43ns/240ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，9A，50 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 600V 16A 60W D2PAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IRF
23+
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19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠(chǎng)免費(fèi)送樣
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
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D2PAK
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終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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7000
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TO-263-3 D?Pak(2 引線(xiàn) + 接片
9350
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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TO-263
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢(xún)價(jià)
更多IRG4BC20FD-SPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 9:07:00

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