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IRFBE30LPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFBE30LPBF
廠商型號

IRFBE30LPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

588.09 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-9 19:09:00

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IRFBE30LPBF規(guī)格書詳情

描述 Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

O Dynamic dv/dt Rating

O Repetitive Avalanche Rated

O Fast Switching

O Ease of Paralleling

O Simple Drive Requirements

O Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFBE30LPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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