IRFBE20中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRFBE20 |
| 功能描述 | Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A) |
| 文件大小 |
171.1 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-21 8:42:00 |
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IRFBE20規(guī)格書詳情
Description
Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.
● Dynamic dV/dt Rating
● Repetitive Avalanche Rated
● Fast Switching
● Ease of Paralleling
● Simple Drive Requirements
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFBE20
- 功能描述：
MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
22+ |
NA |
6500 |
原廠原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
17+ |
TO-220 |
6200 |
詢價(jià) | |||
IR |
22+ |
TO-220 |
89274 |
詢價(jià) | |||
VISHAY |
18+ |
TO220 |
85600 |
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220 |
90000 |
一定原裝深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-220-3 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
11800 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-220 |
89630 |
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/IR |
24+ |
原廠封裝 |
5950 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) |
