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IRFBE20PBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFBE20PBF
廠商型號

IRFBE20PBF

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.00024 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

Vishay Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導體

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-9 23:01:00

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IRFBE20PBF規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Simple Drive Requirements

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFBE20PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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